Simcenter Micred T3Ster SI瞬态热测试设备系列

Simcenter Micred T3Ster SI瞬态热测试设备是一款先进的无损瞬态热测试器，通过测试在-原位的元件，对封装半导体装置（二极管、双极型晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极晶体管、电源 LED 指示灯）和多晶片装置进行热特性分析。该测试器能够比稳态方法更有效地测量真正的热瞬态响应。测量结果偏差最多为±0.002℃，而测试时间分辨率为为 1 微秒，因此可产生精确的热测量值。结构函数对响应进行后处理，将其绘图以显示封装特征在散热路径上的热阻值和电容量。测量结果可导出用于热模型校准，从而增强热设计工作的准确性。

Simcenter Micred T3Ster SI系列热特性分析硬件解决方案赋能部件和系统供应商准确高效地测试、测量半导体集成电路封装、单个和阵列 LED、堆叠和多晶片封装、动力电子模块、导热介质 (TIM) 属性和完整电子系统，并对热特性进行表征。

Simcenter Micred T3Ster SI可直接连续实时测量封装半导体器件的实际加热或冷却曲线，而不是根据多个单独测试的结果人为地将其组合在一起。以这种方式测量真正的热瞬态响应更加高效且准确，因而可获得比稳态方法更准确的热测量值。每个样本只需要进行一次测量，无需像稳态方法那样重复测量并取平均值。

产品优势：

——只需一次测试即可更快地获得结果

Simcenter Micred T3Ster SI易于使用且快速。其产生完全可重复的结果，因此每项测试只需要执行一次。T3Ster仅使用电气连接对封装 IC 进行供电和检测测试，提供快速可重复的结果，并且无需对同一器件进行多次测试。部件可原位进行测试，测试结果可用作简化热模型或校准详细模型。

——测试所有类型的封装半导体

实际上，所有类型的封装半导体都可以进行测试，从功率二极管和晶体管到大型且高度复杂的数字 IC，包括安装在电路板上的部件，甚至封装到产品中。

简而言之，将功率脉冲注入部件中，并非常准确地记录其温度响应随时间的变化。半导体本身既用于为零件供电，也用于使用芯片表面上的温度敏感参数（例如晶体管或二极管结构）检测温度响应。

——校准Simcenter Flotherm热模型

Simcenter Micred T3Ster SI随附的T3Ster-Master软件为相关处理、分析方案带来了许多价值。通过瞬态热测试得到的数据经软件处理后生成的结构函数曲线，可以输出.flocalibration格式。该格式的文件可以导入到热仿真分析软件，用以对被测电子电力器件的详细热学模型进行校准。可用于校准Simcenter Flotherm/Simcenter FloEFD中的详细3D热模型，创建芯片封装的热模型预测空间和时间温度，准确率高达 99+%。